SI2303场效应管详细参数：

漏源电压（VDS）：-30V

栅源电压（VGS）：±20V

连续漏极电流（ID）：-1.7A

脉冲漏极电流（IDM）：-10A

零栅极电压漏极电流（IDSS）：-1μA

栅极阈值电压（VGS (th)）：-0.7V

导通电阻（RDS (on)）： 0.20Ω@ -10V

0.38Ω@ -4.5V

功率损耗（PD）：1.25W

工作温度范围：-55℃~150℃

SI2323 场效应管是一款 P 沟道增强型MOSFET,核心功能与用途：

便携式设备负载开关：其 SOT - 23 小封装和低导通电阻的特点,适配手机、平板电脑、便携式播放器等设备,用于控制外设模块（如摄像头、耳机接口）的电源通断,降低待机功耗。同时也可用于 LED 照明驱动模块,实现 LED 灯的高效开关控制。

DC - DC 转换器：凭借快速开关特性和低传导损耗,可作为同步整流管或开关管用于 DC - DC 降压 / 升压电路,常见于充电宝、小型电源适配器中,提升电能转换效率。

电池管理系统：适合各类电池供电设备的管理模块,比如电动玩具、小型储能设备的充放电保护电路,通过控制电流路径防止电池过充、过放,保障电池安 全与寿命。

汽车与工业控制辅助电路：在汽车电子中可用于控制车灯、小型车载传感器的电源回路；在工业场景中,能驱动小型电磁阀、微型电机（如风扇马达）,并适配工业环境的宽温工作要求,稳定实现负载驱动与开关控制。

通信设备辅助电路：用于通信设备的功率放大器、射频开关周边的电源管理模块,其低损耗和高频特性可保障通信设备供电的稳定性,减少对信号传输的干扰。